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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 49mΩ@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 860mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款新一代 MOSFET 旨在最大程度降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低 Qg 和 Qgd
- 小尺寸封装
- 低外形,高度仅0.45mm
- 完全无铅,符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-电池管理-负载开关-电池保护