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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 38.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.38nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 296pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 341pF |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 生产过程中进行100%非箝位电感开关(UIS)测试——确保终端应用更可靠、更耐用
- 散热高效封装——应用运行更凉爽
- 高转换效率
- 低RDS(ON)——将导通损耗降至最低
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 可焊侧翼,便于光学检测
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-无线充电-DC-DC转换器-电源管理