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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.083nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 191pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 221pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于电源管理和负载开关。
商品特性
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试
- 低RDS(ON)——最大程度降低传导损耗
- 快速开关速度——最大程度降低开关损耗
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 该器件符合JEDEC标准(参考AEC-Q),具备高可靠性
应用领域
-电机控制-背光照明-DC-DC转换器-打印机设备