温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 16W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 894pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 381pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻 RDS(on) 降至最低，非常适合高效率电源管理应用。
商品特性
- 超低栅极阈值电压
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 静电保护栅极
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
- 通用接口开关
- 电源管理功能
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