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DMT64M8LCG-13
DMT64M8LCG-13
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT64M8LCG-13
- 商品编号
- C19949996
- 商品封装
- VDFN3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 77.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.16W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47.5nC@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 生产过程中进行100%非箝位电感开关（UIS）测试——确保终端应用更可靠、更耐用
- 低导通电阻
- 小尺寸、热效率高的封装，可实现更高密度的终端产品
- 可焊侧翼，便于光学检测
- 完全无铅，完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
- 背光源
- 电源管理功能
- DC - DC转换器
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