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DMTH15H017LPSWQ-13
N沟道 耐压:150V 电流:50A
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- 描述
- 这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最大程度降低导通电阻 [RDS(ON)]，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH15H017LPSWQ-13
- 商品编号
- C19950017
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25.5mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 107W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC-Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：
- 电机控制
- DC-DC转换器
- 电源管理
商品特性
- 额定温度可达+175°C,适用于高环境温度环境
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试,确保终端应用更可靠、更耐用
- 散热效率高的封装,使应用运行更凉爽
- 高转换效率
- 低导通电阻RDS(ON),最小化导通状态损耗
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 封装高度小于1.1mm,适用于轻薄应用(PowerDi)
- 无铅表面处理,符合RoHS标准
- 无卤素和锑,为“绿色”器件
- 适用于需要特定变更控制的汽车应用;该产品符合AEC-Q101标准,具备生产件批准程序(PPAP)能力,并在通过IATF 16949认证的工厂生产
应用领域
-笔记本电脑电池电源管理-负载开关-同步整流-功率开关-D类音频放大器
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