我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
DMTH15H017SPSW-13实物图
  • DMTH15H017SPSW-13商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMTH15H017SPSW-13

DMTH15H017SPSW-13

品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMTH15H017SPSW-13
商品编号
C19950018
商品封装
PowerDI5060-8​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)61A
导通电阻(RDS(on))22mΩ@8V
耗散功率(Pd)107W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
栅极电荷量(Qg)34nC@10V
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

商品概述

这款新一代N沟道增强型MOSFET旨在最小化漏源导通电阻(RDS(on)),同时保持卓越的开关性能。

商品特性

  • 额定温度高达+175°C,适用于高温环境
  • 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试,确保终端应用更可靠、更耐用
  • 热效率高的封装,可降低应用的运行温度
  • 高转换效率
  • 低漏源导通电阻(RDS(on)),可最小化导通损耗
  • 低输入电容
  • 快速开关速度
  • 封装厚度小于1.1mm,适用于轻薄应用(PowerDI)
  • 无铅涂层,符合RoHS标准
  • 无卤素和锑,是“绿色”器件
  • 该器件符合JEDEC标准(如AEC-Q中所引用),具备高可靠性

应用领域

-电机控制-DC-DC转换器-电源管理

数据手册PDF