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DMTH4008LPDWQ-13
40V、175°C双N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC Q101标准，拥有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于电机控制、电源管理功能、直流-直流转换器。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH4008LPDWQ-13
- 商品编号
- C19950022
- 商品封装
- PowerDI5060-8(TYPEUxD)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 46.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 39.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 881pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 496pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最大限度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效率电源管理应用。
商品特性
- 额定温度达+175°C,适用于高环境温度环境
- 100%非钳位电感开关,生产过程中进行测试,确保最终应用更可靠、更耐用
- 高转换效率
- 低导通电阻RDS(ON),可将导通状态损耗降至最低
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 可焊侧翼,便于光学检测
- 完全无铅,完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,属于“绿色”器件
应用领域
-电机控制-电源管理功能-DC-DC转换器
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