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DMTH4008LPDWQ-13
40V、175°C双N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC Q101标准，拥有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于电机控制、电源管理功能、直流-直流转换器。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH4008LPDWQ-13
- 商品编号
- C19950022
- 商品封装
- PowerDI5060-8(TYPEUxD)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 46.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 39.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 881pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 496pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最大限度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效率电源管理应用。
商品特性
- 额定温度高达+175°C，适用于高环境温度环境
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关（UIS）测试，确保终端应用更可靠、更耐用
- 热效率高的封装，使应用运行更凉爽
- 高转换效率
- 低RDS(ON)，最大限度降低导通损耗
- 封装高度小于1.1mm，适用于轻薄型应用
- 无铅表面处理，符合RoHS标准
- 无卤素和锑，为“绿色”器件
- 适用于需要特定变更控制的汽车应用；该产品符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产。
应用领域
- 开关应用-DC-DC转换器
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