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DMTH46M7SFVWQ-7
DMTH46M7SFVWQ-7
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH46M7SFVWQ-7
- 商品编号
- C19950040
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 67.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.4mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 54.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款新一代N沟道增强型MOSFET旨在最小化导通电阻RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
商品特性
- 额定温度可达+175°C,适用于高环境温度环境
- 具备出色的QGD × RDS(ON)乘积(品质因数FOM)
- 低RDS(ON),确保导通状态损耗最小化
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试,确保最终应用更可靠、更耐用
- 可焊侧翼,便于光学检测
- 完全无铅,完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,是“绿色”器件
应用领域
-电机控制-电源管理功能-DC-DC转换器