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DMWSH120H28SM4Q实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMWSH120H28SM4Q

碳化硅功率MOSFET,低导通电阻、低输入电容,适用于高效电源管理应用

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品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMWSH120H28SM4Q
商品编号
C19950048
商品封装
TO-247-4​
包装方式
管装
商品毛重
11.5克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
类型N沟道
配置-
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)100A
耗散功率(Pd)429W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.6V
栅极电荷量(Qg)173.7nC
输入电容(Ciss)3.944nF
反向传输电容(Crss)9.73pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)180pF
导通电阻(RDS(on))28.5mΩ

商品概述

这款碳化硅MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能,非常适合用于高效电源管理应用。

商品特性

  • 低导通电阻
  • 适用于功率应用的高BVDSS额定值
  • 低输入电容
  • 无铅涂层;符合RoHS标准
  • 无卤素和锑,环保型器件
  • DMWSH120H28SM4Q适用于需要特定变更控制的汽车应用;该产品符合AEC - Q101标准,具备生产件批准程序(PPAP)能力,并在通过IATF 16949认证的工厂生产。

应用领域

  • 电动汽车高功率DC - DC转换器
  • 电动汽车充电系统
  • AC - DC牵引逆变器
  • 汽车电机驱动器

数据手册PDF