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ZVP4525GQTA
高压P沟道增强型MOSFET，低导通电阻、快速开关速度、低栅极驱动和低阈值，适用于高效电源管理应用
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZVP4525GQTA
- 商品编号
- C19950570
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 265mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18Ω@3.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 82pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 16pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±40V |
商品概述
这款新一代沟槽 MOSFET 采用独特结构,兼具低导通电阻和快速开关的优势,非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 高电压
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 低栅极驱动
- 低阈值
- 无铅镀层;符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
- ZVP4525GQ 适用于需要特定变更控制的汽车应用;该产品符合 AEC-Q101 标准,可提供生产件批准程序(PPAP)文件,且在通过 IATF 16949 认证的工厂生产。
应用领域
-接地回叫和拨号开关-电子摘机开关-高压功率 MOSFET 驱动器-电信呼叫路由器-固态继电器