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ZXMN3A01FQTA
N沟道增强型MOSFET，低导通电阻、快速开关速度、低阈值、低栅极驱动，小尺寸表面贴装封装，无铅且符合RoHS标准
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMN3A01FQTA
- 商品编号
- C19951145
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 625mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.9nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 190pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 38pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
-低导通电阻-快速开关速度-低阈值-低栅极驱动-小型表面贴装封装-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件-通过AEC-Q101标准认证,具备高可靠性
应用领域
-DC-DC转换器-电源管理功能-电机控制
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