温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMTH4001STLWQ-13
DMTH4001STLWQ-13
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH4001STLWQ-13
- 商品编号
- C19950021
- 商品封装
- PowerDI1012-8
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.85mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在将导通电阻 RDS(ON) 降至最低，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于电源管理和负载开关。
商品特性
- 额定温度高达 +175°C，适用于高温环境
- 生产过程中进行 100% 非钳位电感开关 (UIS) 测试，确保终端应用更可靠、更耐用
- 转换效率高
- 导通电阻 RDS(ON) 低，可将导通状态损耗降至最低
- 引脚可焊边设计，便于光学检测
- 无铅涂层，符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑，为“绿色”器件
应用领域
- 电机控制-DC-DC 转换器-电源管理
相似推荐
其他推荐
- DMTH4008LPDWQ-13
- DMTH45M5LFVW-13
- DMTH45M5LFVW-7
- DMTH45M5LFVWQ-13
- DMTH45M5LFVWQ-7
- DMTH45M5LPDW-13
- DMTH45M5LPDWQ-13
- DMTH45M5LPSW-13
- DMTH45M5LPSWQ-13
- DMTH45M5SFVW-13
- DMTH45M5SFVW-7
- DMTH45M5SFVWQ-13
- DMTH45M5SFVWQ-7
- DMTH45M5SPDW-13
- DMTH45M5SPSW-13
- DMTH46M7SFVW-7
- DMTH46M7SFVWQ-13
- DMTH46M7SFVWQ-7
- DMTH47M2LFVW-13
- DMTH47M2LFVW-7
- DMTH47M2LFVWQ-13