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DMTH10H4M5LPSW
DMTH10H4M5LPSW
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH10H4M5LPSW
- 商品编号
- C19950011
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 107A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.843nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.302nF |
商品概述
这款新一代N沟道增强型MOSFET旨在最大限度降低漏源导通电阻，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
商品特性
- 生产中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试 - 确保最终应用更可靠、更耐用
- 高转换效率
- 低RDS(ON)- 最小化导通状态损耗
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 无铅涂层;符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
- 电机控制
- DC-DC转换器
- 电源管理
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