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DMTH12H007SK3-13
DMTH12H007SK3-13
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH12H007SK3-13
- 商品编号
- C19950013
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 86A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款新一代MOSFET具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 额定温度可达+175°C，适用于高环境温度环境
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关（UIS）测试，确保终端应用更可靠、更耐用
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 可焊侧翼，便于光学检测
- 侧壁焊盘额外镀锡，便于光学焊接检测
- 无铅表面处理，符合RoHS标准
- 无卤素和锑，为“绿色”器件
应用领域
- DC-DC转换器-电机
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