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DMTH10H032LPSW-13实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMTH10H032LPSW-13

N沟道增强型MOSFET,具备高转换效率、低输入电容、快速开关速度,适用于高效电源管理应用

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品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMTH10H032LPSW-13
商品编号
C19950005
商品封装
PowerDI5060-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.326克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)33A
导通电阻(RDS(on))50mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)68W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)11.9nC@10V
属性参数值
输入电容(Ciss)683pF
反向传输电容(Crss)6.9pF
工作温度-55℃~+175℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)165pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(ON),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 生产过程中进行100%非箝位电感开关(UIS)测试 — 确保最终应用更可靠、更耐用
  • 高转换效率
  • 低输入电容
  • 快速开关速度
  • 可焊侧翼,便于光学检测
  • 无铅表面处理;符合RoHS标准
  • 无卤素和锑。“绿色”器件

应用领域

  • 同步整流器
  • 背光照明
  • 电源管理功能
  • DC-DC转换器

数据手册PDF