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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 47A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@400uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.106nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 73pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.491nF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 双P沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 适用于需要特定变更控制的汽车应用；该器件符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产
应用领域
- DC-DC转换器-负载开关-电源管理功能
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