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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 46A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 166W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款新一代 MOSFET 具有低导通电阻和快速开关的特性，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 100%非钳位电感开关——确保终端应用更可靠、更耐用
- 低 RDS(ON)——最大限度降低功率损耗
- 低 Qg——最大限度降低开关损耗
- 无铅涂层;符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
-电源管理功能-DC-DC转换器-背光源
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