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DMT15H053SK3-13
150V N沟道增强型MOSFET，低导通电阻、低栅极电荷，适用于电源管理和DC-DC转换器
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT15H053SK3-13
- 商品编号
- C19949986
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.5nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 814pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 84pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款新一代MOSFET具有低导通电阻和快速开关的特性,非常适合用于高效电源管理应用。
商品特性
- 100%非钳位电感开关 - 确保终端应用更可靠、更耐用
- 低RDS(ON) - 最大限度降低功率损耗
- 低Qg - 最大限度降低开关损耗
- 无铅涂层;符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
-电源管理功能-DC-DC转换器-背光照明
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