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DMPH33M8SPSW-13
DMPH33M8SPSW-13
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMPH33M8SPSW-13
- 商品编号
- C19949975
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 127nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持出色的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 额定温度高达+175°C，适用于高环境温度环境
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关（UIS）测试
- 散热效率高的封装，适用于低温运行的应用
- 高转换效率
- 低RDS(ON)，可最大程度降低导通损耗
- 封装厚度小于1.1 mm，适用于轻薄型应用
- 无铅涂层，符合RoHS标准
- 无卤素和锑，是“绿色”器件
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