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DMPH33M8SPSWQ-13
DMPH33M8SPSWQ-13
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMPH33M8SPSWQ-13
- 商品编号
- C19949976
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 81nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 额定温度可达+175°C,适用于高环境温度环境
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试
- 热效率高的封装,应用时运行温度更低
- 高转换效率
- 低导通电阻RDS(on),可将导通状态损耗降至最低
- 封装高度小于1.1mm,适用于轻薄型应用
- 无铅表面处理,符合RoHS标准
- 无卤素和锑,是“绿色”器件
- 适用于需要特定变更控制的汽车应用;该产品符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,且在通过IATF 16949认证的工厂生产。
应用领域
-开关
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