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DMT10H010LSSQ-13
DMT10H010LSSQ-13
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT10H010LSSQ-13
- 商品编号
- C19949979
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 58.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.166nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它通过了AEC - Q101认证，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于背光照明、电源管理功能和DC - DC转换器。
商品特性
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试——确保最终应用更可靠、更耐用
- 高转换效率
- 低RDS(ON)——最大限度降低导通损耗
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
-背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器
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