商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 620mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7Ω@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 800mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC@10V | |
| 类型 | P沟道 |
交货周期
订货65-67个工作日购买数量
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起订量:24000 个3000个/圆盘
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