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DMP31D1U-7
30V P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 这款MOSFET旨在最大限度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效率电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP31D1U-7
- 商品编号
- C19949945
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 620mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 580mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.6nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 54pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 10.9pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它通过了AEC-Q101认证，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：DC-DC转换器、电源管理功能、背光照明
商品特性
-低栅极阈值电压-快速开关速度-栅极具备ESD保护-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-便携式电子设备中的负载开关