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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.064nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 183pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 212pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC-Q101标准，并有生产件批准程序（PPAP）支持。
商品特性
- 生产过程中进行100%非箝位电感开关(UIS)测试
- 低RDS(ON) —— 最大限度降低传导损耗
- 快速开关速度 —— 最大限度降低开关损耗
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
-电机控制-背光源-DC-DC转换器-打印机设备
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