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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 63mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.47W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 740mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 392pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.4pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 183pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 具有最低品质因数的LD - MOS技术
- RD1D2(ON) = 63 mΩ,可将导通损耗降至最低
- Qg = 3.2 nC,实现超快速开关
- VGS(TH)典型值为 - 0.74 V,开启电压低
- 封装尺寸为1.5mm × 1.5mm的CSP封装
- 高度为0.32mm,实现低外形设计
- 完全无铅,完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-电池管理-负载开关-电池保护