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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 83nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低RDS(ON)——确保将导通损耗降至最低
- 小尺寸、热效率高的封装可实现更高密度的终端产品
- 仅占用SO - 8封装33%的电路板面积,可使终端产品更小
- 无铅涂层;符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
-负载开关-电源管理功能