温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 83nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
交货周期
订货65-67个工作日购买数量
(3000个/袋，最小起订量 6000 个)个
起订量：6000 个3000个/袋
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单