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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 390mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 600mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC@4.5V | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款MOSFET旨在最大限度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 静电放电(ESD)保护
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- DMN62D2UQ适用于需要特定变更控制的汽车应用;该器件符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,且在通过IATF 16949认证的工厂生产。
应用领域
-电机控制-电源管理功能-背光照明