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DMNH6069SFVWQ-13实物图
  • DMNH6069SFVWQ-13商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMNH6069SFVWQ-13

DMNH6069SFVWQ-13

品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMNH6069SFVWQ-13
商品编号
C19949911
商品封装
PowerDI3333-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.087克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)18A
导通电阻(RDS(on))63mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)38W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)14nC@10V
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

商品概述

这款450V增强型P沟道MOSFET为用户提供了具有竞争力的规格,具备高效的功率处理能力、高阻抗,且不会出现热失控和热致二次击穿问题。该器件适用的应用场景包括各种电信和通用高压开关电路。

商品特性

  • 额定温度高达+175°C — 非常适合高温环境
  • 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试
  • 低导通电阻RDS(ON) — 确保最小的导通损耗
  • 小尺寸、热效率高的封装,可实现更高密度的终端产品
  • 仅占用SO-8封装33%的电路板面积,可实现更小尺寸的终端产品
  • 可焊侧翼,便于光学检测
  • 完全无铅,完全符合RoHS标准
  • 无卤素和锑,是“绿色”器件

应用领域

-电源管理功能-DC-DC转换器

数据手册PDF