温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 490mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 470mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 500pC@4.5V | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些N沟道增强型功率MOSFET采用先进的沟槽工艺技术设计，具有出色的导通电阻（Rdson）和低栅极电荷，符合RoHS标准。
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极电荷
- 高雪崩电流
- 快速开关
- 低反向传输电容
- 100%单脉冲雪崩能量测试
- 100% ΔVDS测试
应用领域
- 功率开关应用
- 电机控制与驱动
- 电池管理
- 不间断电源（UPS）