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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 400mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.5nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
-低导通电阻-极低的栅极阈值电压(最大值1.0V)-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出漏电流-静电放电保护-完全无铅且符合RoHS标准-无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
-负载开关-电平开关