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DMN39M1LK3-13
DMN39M1LK3-13
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN39M1LK3-13
- 商品编号
- C19949876
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 89.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38.6nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它通过了AEC-Q101认证，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于背光照明、电源管理功能和DC-DC转换器。
商品特性
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 无铅涂层;符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
-电源管理功能-DC-DC转换器-工业领域