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DMN39M1LK3-13
DMN39M1LK3-13
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN39M1LK3-13
- 商品编号
- C19949876
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 89.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38.6nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它通过了AEC-Q101认证，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于背光照明、电源管理功能和DC-DC转换器。
商品特性
- 仅1.3 mm²的占位面积
- 超薄封装 — 0.4mm厚度
- 导通电阻 < 200 mΩ
- 低栅极阈值电压
- 快速开关速度
- 超小表面贴装封装
- 栅极有ESD保护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- DMN2300UFL4Q适用于需要特定变更控制的汽车应用，通过了AEC-Q101认证，具备PPAP能力，并在通过IATF16949:2016认证的工厂生产。
应用领域
- 背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器