DMN4060SVTQ-7

这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。

• 低封装高度，最大封装高度0.42mm
• 封装尺寸0.62mm x 0.62mm
• 低导通电阻
• 极低的栅极阈值电压，最大-1.0V
• 栅极具备ESD保护
• 完全无铅且完全符合RoHS标准
• 无卤素和锑，“绿色”器件

• 通用接口开关-电源管理功能-模拟开关