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DMN3732UFB4-7B
DMN3732UFB4-7B
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3732UFB4-7B
- 商品编号
- C19949873
- 商品封装
- X2-DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 730mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.12W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 900pC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大限度降低导通电阻（RSS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 封装尺寸为1.75mm x 1.75mm的CSP封装
- 典型高度为0.120mm，实现低外形设计
- 栅极具备ESD保护功能
- 完全无铅，符合RoHS标准
- 无卤素和锑，为“绿色”器件
应用领域
-负载开关-便携式应用-电源管理功能