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DMN31D4UFZ-7B
N沟道 耐压:30V 电流:0.31A
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- 描述
- 该MOSFET旨在最大程度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN31D4UFZ-7B
- 商品编号
- C19949856
- 商品封装
- X2-DFN0606-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.080333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 310mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5Ω@1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 300pC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：背光照明、DC-DC转换器、电源管理功能。
商品特性
- 封装高度低,最大封装高度为0.4mm
- 封装尺寸为0.62mm x 0.62mm
- 导通电阻低
- 栅极阈值电压极低,最大为1.0V
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅,完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,是“绿色”器件
应用领域
- 通用接口开关
- 电源管理功能
- 模拟开关