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DMN2991UFZQ-7B实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMN2991UFZQ-7B

DMN2991UFZQ-7B

品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMN2991UFZQ-7B
商品编号
C19949843
商品封装
X2-DFN0606-3​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)550mA
导通电阻(RDS(on))2.4Ω@1.5V
耗散功率(Pd)0.53mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)280pC@4.5V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 低封装高度,最大封装高度0.42mm
  • 封装尺寸为 0.62 mm x 0.62 mm
  • 低导通电阻
  • 极低的栅极阈值电压,最大1.0V
  • 栅极具备ESD保护
  • 完全无铅且完全符合RoHS标准
  • 无卤素和锑,为“绿色”器件
  • 适用于需要特定变更控制的汽车应用;该产品符合AEC-Q101标准,具备生产件批准程序(PPAP)能力,且在通过IATF 16949认证的工厂生产。

应用领域

-通用接口开关-电源管理功能-模拟开关

数据手册PDF