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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 600pC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 仅0.6 mm²的占位面积 — 比SOT23小13倍
- 低栅极阈值电压
- 快速开关速度
- 栅极静电放电保护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
-便携式电子设备