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DMN2991UFB4-7B
20V N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 此MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2991UFB4-7B
- 商品编号
- C19949841
- 商品封装
- X2-DFN1006-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8Ω@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 280pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 14.6pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.7pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最大限度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。
商品特性
- 占位面积仅0.6 mm²，比SOT23小十三倍
- 封装厚度0.4mm，适用于薄型应用
- 低栅极阈值电压
- 快速开关速度
- 完全无铅，符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
-负载开关