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DMN2710UV-7
双N沟道增强型MOSFET，低导通电阻、低栅极阈值电压、低输入电容、快速开关速度、低输入/输出泄漏，采用超小表面贴装封装，栅极ESD保护
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2710UV-7
- 商品编号
- C19949836
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.053克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 920mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 580mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 600pC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 42pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 13pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±6V |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻RDS(ON),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压 VGS(TH) < 1 V
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出漏电流
- 超小表面贴装封装
- 栅极ESD保护
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
- 电池供电系统和固态继电器
- 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等
- 电源转换电路