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DMN2710UVQ-7
DMN2710UVQ-7
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2710UVQ-7
- 商品编号
- C19949838
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.237克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 920mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 580mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 600pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC - Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压（VGS(TH) < 1 V）
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏
- 超小型表面贴装封装
- 栅极具备静电放电保护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
-汽车应用-高效电源管理应用