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DMN2991UDR4-7R
耐压:20V 电流:0.5A
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- 描述
- 这款新一代 MOSFET 的设计旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2991UDR4-7R
- 商品编号
- C19949840
- 商品封装
- X2-DFN1010-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024154克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4Ω@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 280pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 14.6pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 4.7pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 极低的栅极阈值电压
- N沟道：最大1.0V
- P沟道：最大 -1.0V
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 超小型表面贴装封装0.8mm × 0.6mm
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
- 通用接口开关-电源管理功能-模拟开关