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DMN2009UFDF-13实物图
  • DMN2009UFDF-13商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMN2009UFDF-13

DMN2009UFDF-13

品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMN2009UFDF-13
商品编号
C19949308
商品封装
UDFN2020-6​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)12.8A
导通电阻(RDS(on))13mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)1.7W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.4V@250uA
栅极电荷量(Qg)27.9nC@10V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 高度0.6mm——适用于薄型应用
  • PCB占位面积4mm²
  • 低栅极阈值电压
  • 低导通电阻
  • 完全无铅且符合RoHS标准
  • 无卤素和锑,“绿色”器件

应用领域

  • 通用接口开关
  • 电源管理功能

数据手册PDF