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DMN2055UQ-7
N沟道增强型MOSFET，低导通电阻、低输入电容、快速开关速度，适用于汽车应用
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2055UQ-7
- 商品编号
- C19949315
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.3nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 400pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻 RDS(ON) ,同时保持卓越的开关性能,使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 适用于需要特定变更控制的汽车应用;符合AEC-Q101标准,可提供生产件批准程序(PPAP)文件,且在通过IATF 16949认证的工厂生产
应用领域
-通用接口开关-电源管理功能
- DMN2300UFL4Q-7
- JT00RT-16-42PD(001LC)
- JT00RT-16-42PD(003)(LC)
- JT00RT-16-42PD(004LC)
- JT00RT-16-42PD(005LC)
- JT00RT-16-42PD(009LC)
- JT00RT-16-42PD(011LC)
- JT00RT-16-42PD(014LC)
- JT00RT-16-42PD(021LC)
- JT00RT-16-42PD(023LC)
- JT00RT-16-42PD(LC)
- JT00RT-16-42S(001LC)
- JT00RT-16-42S(003)(LC)
- JT00RT-16-42S(004LC)
- JT00RT-16-42S(005LC)
- JT00RT-16-42S(009LC)
- JT00RT-16-42S(011LC)
- JT00RT-16-42S(014LC)
- JT00RT-16-42S(021LC)
- JT00RT-16-42S(023LC)
- JT00RT-16-42S(LC)