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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 520mΩ@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.39W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 135.2pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 19.4pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景： 电机控制 电源管理功能 DC-DC转换器
- 背光照明
商品特性
~~- 低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-栅极具备静电放电保护-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
- 电机控制-电源管理功能-DC-DC转换器-背光照明