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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@3.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@0.16mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.6nC@4V | |
| 输入电容(Ciss) | 523pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（RSS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 封装尺寸为2.98 mm × 1.49 mm的CSP封装
- 低外形高度为0.11mm
- 栅极静电放电保护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
- 电池管理-负载开关-电池保护