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MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1
MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1
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- 描述
- 是一款铁电随机存取存储器 (FRAM) 芯片，采用 262,144 字 × 8 位配置，使用铁电工艺和硅栅 CMOS 工艺技术形成非易失性存储单元。采用串行外设接口 (SPI)，无需使用备用电池即可保留数据，存储单元可进行 10¹³ 次读/写操作，写入数据无需像闪存或 EPROM 那样等待。
- 商品型号
- MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1
- 商品编号
- C189908
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 铁电存储器(FRAM) | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 2Mbit | |
| 工作电压 | 1.8V~3.6V | |
| 工作电流 | 1.9mA | |
| 时钟频率(fc) | 40MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 待机电流 | 50uA | |
| 睡眠模式电流(Izz) | 10uA | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 擦写寿命 | 10000000000000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 |
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