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CSD86360Q5D

环保标识
  • 2个N沟道 耐压:25V 电流:50A

  • SMT扩展库
  • 描述

    CSD86360Q5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 50A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET™电源块

  • 品牌名称TI(德州仪器)
  • 商品型号

    CSD86360Q5D
  • 商品编号

    C181654
  • 商品封装

    LSON-8-EP(5x6)
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.182克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)25V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.7mΩ@5V,25A
功率(Pd)13W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)12.6nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)2.06nF@12.5V
反向传输电容(Crss@Vds)54pF@12.5V
工作温度-55℃~+150℃

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