CSD86360Q5D
2个N沟道 耐压:25V 电流:50A
- SMT扩展库
描述
CSD86360Q5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 50A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET™电源块
- 品牌名称TI(德州仪器)
商品型号
CSD86360Q5D商品编号
C181654商品封装
LSON-8-EP(5x6)包装方式
编带
商品毛重
0.182克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 2个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 25V | |
连续漏极电流(Id) | 50A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.7mΩ@5V,25A | |
功率(Pd) | 13W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 12.6nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.06nF@12.5V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 54pF@12.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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