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CSD86360Q5D
耐压:25V 电流:50A
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- 描述
- CSD86360Q5D 采用 5mm x 6mm SON 封装的 50A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET™电源块
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD86360Q5D
- 商品编号
- C181654
- 商品封装
- LSON-8-EP(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.182克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 13W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.08nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 69pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 2.56nF |
商品概述
CSD86360Q5D NexFET电源块是面向同步降压应用的优化设计方案,能够以5 mm × 6 mm的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对5V栅极驱动应用进行了优化,在与外部控制器/驱动器的任一5V栅极驱动配套使用时,可提供一套灵活的解决方案来实现高密度电源。
商品特性
- 半桥电源块
- 25A电流下系统效率高达91%
- 运行电流高达50A
- 高频工作(高达1.5 MHz)
- 高密度SON 5 mm × 6 mm封装
- 针对5V栅极驱动进行了优化
- 开关损耗较低
- 超低电感封装
- 符合RoHS标准
- 无卤素
- 无铅引脚镀层
应用领域
- 同步降压转换器
- 高频应用
- 高电流、低占空比应用
- 多相位同步降压转换器
- 负载点 (POL) 直流/直流转换器
- IMVP、VRM 和 VRD 应用