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CSD17306Q5A
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
- 描述
- CSD17306Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD17306Q5A
- 商品编号
- C181582
- 商品封装
- SON-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.166克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.4mΩ@3V,22A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.17nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 73pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.16nF |
交货周期
订货1-3个工作日购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 50 个)个
起订量：50 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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