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SPP11N60S5
1个N沟道 耐压:600V 电流:11A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- SPP11N60S5
- 商品编号
- C168877
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.78克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.5V@500uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 全新革命性高压技术
- 超低栅极电荷
- 具备周期性雪崩额定值
- 具备极高dv/dt额定值
- 超低有效电容
- 跨导性能提升
- 引脚无铅电镀；符合RoHS标准
- 针对目标应用通过JEDEC认证