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SPP08N50C3
1个N沟道 耐压:560V 电流:7.6A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- SPP08N50C3
- 商品编号
- C168880
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.992克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 560V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V@350uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 750pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 350pF |
商品特性
- 全新革命性高压技术
- 超低栅极电荷
- 具备周期性雪崩额定值
- 具备极高的dv/dt额定值
- 超低有效电容
- 改善的跨导
- PG-TO-220-3-31；-3-111：全隔离封装（2500 VAC；1分钟）
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 针对目标应用通过JEDEC认证